正在构建实验台…
DIE / PATTERN FIELD
Si · 含氟刻蚀
PLASMA OFFLoad Port → EFEM → Load Lock → TM → PM1
离子轰击 活性自由基 · 轨迹示意
整机为教学布局 · 工艺腔保持圆形 wafer
图案特写放大局部结构，尺寸比例为示意
图案特写放大局部结构，尺寸比例为示意
点击开口可定位
左键旋转 · 右键/Shift 平移 · 滚轮缩放 · 双击设为旋转中心示意模型 · 非真实工艺仿真
设备读数 实时采样等待开始工艺
腔压 mTorr100.0目标 42
总流量 相对值0.0MFC 实际值
摆阀 %0.00 关 / 100 开
等离子体 相对值0.0ICP 0 / Bias 0
腔压流量摆阀
局部观察工具
只切开前角，保留其余表面。